Rückwärts leitfähige IGBTs bilden einen neuen Typ von Leistungshalbleitern, welche die Funktionalität von IGBT und antiparallelen Dioden in einem Chip integrieren. Zur Prävention eines Snapbacks der Durchlassspannung besteht der Bi-mode Insulated Gate Bipolar Transistor aus einer Parallelschaltung eines konventionellen IGBTs und eines RC-IGBTs. Der Chipaufbau von rückwärts leitfähigen IGBT führt zu deutlichen Änderungen des elektrischen Verhaltens im Vergleich zu konventinellen IGBTs.