Rückwärtsleitfähige IGBT bieten durch die Integration von IGBT und Diode in einem Chip den Vorteil, dass neben einer Erhöhung der Leistungsdichte auch die Lastwechselbelastung gegenüber konventionellen IGBT/Dioden-Modulen reduziert wird. In dieser Arbeit wird das Verhalten eines rückwärtsleitfähigen IGBT in stationären Arbeitspunkten sowohl durch Berechnungen als auch Messungen diskutiert sowie in ausgewählten Anwendungen der Antriebs- und Energietechnik mit Hilfe von Simulationen untersucht.